Приведены розничные цены. Зарегистрированные клиенты могут войти в магазин и видеть цены с личными скидками. Указанное количество (наличие) в карточке товаров на складе актуально.
FDS8884
N-Channel PowerTrench® MOSFET
30V, 8.5A, 23mΩ
General Descriptions
This N-Channel MOSFET has been designed specifically
to improve the overall efficiency of DC/DC converters using
either synchronous or conventional switching PWM
controllers. It has been optimized for lo..
Технические характеристики FQPF12N60C
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Серия
QFET™
FET Type
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature
Standard
..
FQU11P06
Корпус TO-251-3
Конфигурация и полярность P
Максимальное напряжение сток-исток 60 В
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.4 А
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) 0.185 Ом
Диапазон номинальных напряжений затвора..
SSP10N60B/SSS10N60B
600V N-Channel MOSFET
General Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,
planar, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state res..
SSP5N80A
Type Designator: SSP5N80A
Type of SSP5N80A transistor: MOSFET
Type of control channel: N -Channel
Maximum power dissipation (Pd), W: 140
Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 800
Maximum gate-source voltage |Ugs|, V:
Maximum drain current |Id|, A: 5
..
Транзисторы КП103Ж кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д, КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М, КП103Е1, КП103Ж1, КП103И1, КП103К1, КП103Л1, КЛ103М1, подобранные в пары по основным электрическим..
Транзисторы КП103Л кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д, КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М, КП103Е1, КП103Ж1, КП103И1, КП103К1, КП103Л1, КЛ103М1, подобранные в пары по основным электрическим..
Транзисторы КП302В кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы..
Транзисторы КП305Ж кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на ..
Транзисторы КП306А кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
..