Категории

Полевые

Полевые

Приведены розничные цены. Зарегистрированные клиенты могут войти в магазин и видеть цены с личными скидками. Указанное количество (наличие) в карточке товаров на складе актуально.

 

Вид: Список / Сетка
На странице:
Сортировка:
AO4606
AO4606 MOSFET транзисторы Наименование: AO4606 Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V/-30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): +/- 20 V Пороговое напряж..
31.50 р.
BUZ90A
Транзистор N- канальный SIPMOS ® Power Transistor 4A 600V Партия фабричной конвейерной комплектации конечного изделия. ORIGINAL PRODUCT ..
99.90 р.
FDS8884
FDS8884 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 8.5A, 23mΩ General Descriptions This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for lo..
135.00 р.
FQPF12N60C
Технические характеристики FQPF12N60C Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant Серия QFET™ FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide FET Feature Standard ..
132.30 р.
FQU11P06
FQU11P06 Корпус TO-251-3 Конфигурация и полярность P Максимальное напряжение сток-исток 60 В Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9.4 А Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) 0.185 Ом Диапазон номинальных напряжений затвора..
86.40 р.
SI4936B
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET   ..
135.00 р.
SSP10N60B
SSP10N60B/SSS10N60B 600V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state res..
175.50 р.
SSP5N80A
SSP5N80A Type Designator: SSP5N80A Type of SSP5N80A transistor: MOSFET Type of control channel: N -Channel Maximum power dissipation (Pd), W: 140 Maximum drain-source voltage |Uds|, V: 800 Maximum gate-source voltage |Ugs|, V: Maximum drain current |Id|, A: 5 ..
148.50 р.
STP7NK80ZFP
STP7NK80ZFP N-channel 800 V, 1.5 Ω, 5.2 A, TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET ..
148.50 р.
КП103Ж
Транзисторы КП103Ж кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д, КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М, КП103Е1, КП103Ж1, КП103И1, КП103К1, КП103Л1, КЛ103М1, подобранные в пары по основным электрическим..
72.00 р.
КП103Л
Транзисторы КП103Л кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа 2П103А, 2П103Б, 2П103В, 2П103Г, 2П103Д, КП103Е, КП103Ж, КП103И, КП103К, КП103Л, КП103М, КП103Е1, КП103Ж1, КП103И1, КП103К1, КП103Л1, КЛ103М1, подобранные в пары по основным электрическим..
72.00 р.
КП302В
Транзисторы КП302В кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими вы..
90.00 р.
КП305Ж
Транзисторы КП305Ж кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на ..
126.00 р.
КП306А
Транзисторы КП306А кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. ..
126.00 р.
ЛЭФ © 2010 - 2024