Кремний Россия, Брянск

Вид: Список / Сетка
На странице:
Сортировка:
142ЕН8Б  "5"
Микросхемы 142ЕН8Б представляют собой мощные стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной полярности и током нагрузки до 1,5 А. Имеют защиту от перегрузок по току и перегрева кристалла. Содержат 29 интегральных элементов. Корпус типа 4116.4-3, масса не более 3 г..
916.50 р.
К174ГФ1
Микросхема К174ГФ1 представляет собой задающий (импульсный) генератор строчной развертки с автоподстройкой частоты и фазы. Применяется в телевизионных устройствах или импульсных источниках питания. Содержит 35 интегральных элементов. Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г. С ответстве..
32.50 р.
КД221Б
Диоды КД221Б кремниевые, диффузионные. Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 50 кГц (КД221А, КД221Б, КД221В) и до 20 кГц (КД221Г). Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются белой полосой со стороны положительного вывода и цветной точко..
3.44 р.
КД510А
Диоды КД510А кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных устройствах. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе. Маркируются условным цветным кодом: одной шир..
2.87 р.
КД521Г
КД521Г Диоды кремниевые, эпитаксиально-планарные, импульсные. Предназначены для применения в импульсных устройствах. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Для обозначения типа и полярности диодов используется условная маркировка — одна широкая и две узкие цветные полоски на..
1.91 р.
КР142ЕН8В
Микросхемы КР142ЕН8В представляют собой мощные стабилизаторы напряжения с фиксированным выходным напряжением положительной полярности и током нагрузки до 1,5 А. Имеют защиту от перегрузок по току и перегрева кристалла. Содержат 29 интегральных элементов. Корпус типа КТ-28-2, масса не более 2,..
39.00 р.
КТ209Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры, КТ209Б1, КТ209В1 - в блоках ТВ приемников. Выпускаются ..
3.90 р.
КТ315Б
Транзисторы КТ315Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в вид..
2.93 р.
КУ112A
Тиристоры кремниевые КУ112А, триодные, незапираемые. Предназначены для применения в качестве переключающих элементов. Выпускаются в корпусе TO-126. Тип прибора приводится на корпусе. Технические параметры Максимальное обратное напряжение,В 30 Максимальное повторяющееся импульсное на..
30.81 р.

ЛЭФ © 2010 - 2019