КТ825Г
КТ825Г

КТ825Г

Производитель: Кремний СССР, Брянск
Модель: PNP
Наличие: 1
Цена: 312.00 р.
Количество:     - или -   в закладки
сравнение

Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В, КТ825Г, КТ825Д, КТ825Е выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Транзисторы 2Т825А2, 2Т825Б2, 2Т825В2 выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т825А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора:
   в металлическом корпусе не более 20 г,
   в пластмассовом корпусе не более 2,5 г,
   кристалла не более 0,025 г.

Основные технические характеристики транзистора КТ825Г:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (90В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом

ЛЭФ © 2010 - 2019